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  • 3291 超高分辨顯微鏡的發(fā)展及其在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用 2024-12-6
    劉皎(北京大學(xué)醫(yī)藥衛(wèi)生分析中心)超高分辨顯微鏡(Super-Resolution Microscopy)作為強(qiáng)大的成像工具,可以突破傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡的分辨極限,實(shí)現(xiàn)對微小結(jié)構(gòu)的高分辨率成像,已經(jīng)在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域引

  • 3134 使用光片顯微鏡進(jìn)行人類早期大腦類器官發(fā)育的形態(tài)動力學(xué)研究 2024-10-25
    腦類器官使得人類大腦發(fā)育的機(jī)制研究成為可能,并提供了在不受限制的發(fā)育系統(tǒng)中探索自我組織形成的機(jī)會,類器官的成像觀察是理解其微觀結(jié)構(gòu)和功能的重要手段(文獻(xiàn)1)。由于人腦類器官的尺寸較大

  • 2024 STED標(biāo)記技術(shù)的發(fā)展歷史和應(yīng)用優(yōu)勢 2024-9-21
    從理想到現(xiàn)實(shí):一個(gè)追光者的STED使用史​李曉明(上?萍即髮W(xué))科學(xué)和技術(shù)的關(guān)系是科學(xué)史專家們喜歡討論的課題,它們互相融合、互相促進(jìn)、互相激發(fā),一起促進(jìn)了社會的進(jìn)步。傳統(tǒng)的科學(xué)史專

  • 87 次 微電極分析方法在沉積物水土環(huán)境中的創(chuàng)新探索 2025-4-2
    Easysensor®微電極分析系統(tǒng)通過結(jié)合微電極、升降臺和自動分析系統(tǒng),來獲取水體、沉積物、土壤以及植物根際中DO、pH、Eh以及H2S等物理化學(xué)參數(shù)的垂直分布及動態(tài)的高分辨率變化,適用于實(shí)驗(yàn)室

  • 124 次 FluidFM全自動智能化助力多個(gè)前沿領(lǐng)域發(fā)展 2025-4-1
    亮點(diǎn)聚焦1.高通量測量:FluidFM OMNIUM系統(tǒng)能夠在每小時(shí)測量多達(dá)50個(gè)哺乳動物細(xì)胞的粘附力,顯著提升了單細(xì)胞力譜的通量。2.廣泛的力學(xué)范圍:先進(jìn)的FluidFM技術(shù)能夠測量高達(dá)3µN的粘附力,

  • 118 次 微重力加速α-突觸核蛋白聚集并在體外帕金森病模型中誘導(dǎo)氧化應(yīng)激 2025-4-1
    模擬微重力(simulated microgravity, s-μg)確實(shí)能夠加速α-突觸核蛋白(alpha-synuclein, α-syn)的聚集,并誘導(dǎo)氧化應(yīng)激,這一現(xiàn)象在體外帕金森病(Parkinson's disease,

  • 53 次 倒置熒光顯微鏡應(yīng)用于藥物開發(fā)中的磁珠芯片觀測 2025-3-29
    近期,我們的客戶在藥物開發(fā)工作中需要對熒光磁珠樣本進(jìn)行觀測,尤其是要觀察ALEX647及其他相關(guān)指標(biāo)。在這個(gè)過程中,客戶極為注重相機(jī)速度和紅外成像功能。針對客戶的需求,我們?yōu)槠渫扑]了MIX60

  • 45 次 熒光顯微鏡MF43 - N 應(yīng)用于動物腦組織研究 2025-3-29
    近期,江西省醫(yī)學(xué)科學(xué)院需要一套熒光顯微鏡,要求具備三色熒光功能以及出色的成像能力,以便能夠高效地進(jìn)行切片熒光觀察拍照作業(yè)。這不僅要求顯微鏡能夠清晰地呈現(xiàn)腦組織切片中的熒光信號,還需

  • 50 次 ML31生物顯微鏡應(yīng)用于血包蟲和瘧疾的危害防治檢測 2025-3-29
    血包蟲和瘧疾的防治工作,首先需要對相關(guān)樣本進(jìn)行細(xì)致入微的觀察,這就要求顯微鏡能夠提供清晰、準(zhǔn)確的圖像。明美ML31生物顯微鏡配備了標(biāo)準(zhǔn)LED科勒照明系統(tǒng),這一照明方式能夠均勻地照亮樣本,無

  • 29 次 智感微電極分析系統(tǒng)在植物科學(xué)研究中發(fā)揮著重要作用 2025-3-27
    微電極系統(tǒng)在植物領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛且深入。我們可以在以下幾個(gè)方面進(jìn)行探討:1.根的徑向傳質(zhì)過程測量:微電極系統(tǒng)可以精確測量植物根的徑向傳質(zhì)過程。通過刺入根部,我們能夠揭示根土界面微米

  • 200 次 自動對焦顯微鏡的維護(hù)與保養(yǎng)指南 2025-3-27
    自動對焦顯微鏡是一種高精度的科學(xué)儀器,廣泛應(yīng)用于生物學(xué)、醫(yī)學(xué)、材料學(xué)等領(lǐng)域。為了確保其長期穩(wěn)定運(yùn)行并延長使用壽命,定期的維護(hù)和保養(yǎng)是必不可少的。寧波中電集創(chuàng)科技有限公司作為專業(yè)的顯

  • 209 次 膝關(guān)節(jié)微創(chuàng)機(jī)器人原理及臨床應(yīng)用 2025-3-26
    我國骨科疾病已然成為居民健康的一個(gè)極大威脅,骨關(guān)節(jié)炎是由多種因素引起的關(guān)節(jié)軟骨纖維化、皸裂、潰瘍、脫失而導(dǎo)致的關(guān)節(jié)疾病。主要病理改變是關(guān)節(jié)軟骨的退行性病變和繼發(fā)性骨質(zhì)增生。其發(fā)病與

  • 190 次 顯微鏡的正確使用方法:提升微觀觀察效率的關(guān)鍵 2025-3-25
    顯微鏡作為科學(xué)探索的重要工具,自17世紀(jì)問世以來,徹底改變了人類對微觀世界的認(rèn)知。從列文虎克發(fā)現(xiàn)微生物到現(xiàn)代醫(yī)學(xué)的病理診斷,顯微鏡始終是科學(xué)研究中不可或缺的伙伴。然而,許多使用者常因

  • 133 次 國儀量子電鏡在TSV硅通孔深寬比測量中的應(yīng)用報(bào)告 2025-3-25
    國儀量子電鏡在 TSV 硅通孔深寬比測量的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)中,硅通孔(TSV)技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)芯片三維集成、提高封裝密度和性能的關(guān)鍵手段。通過在硅晶圓上制造垂直貫通

  • 118 次 國儀量子電鏡在半導(dǎo)體納米線直徑均勻性統(tǒng)計(jì)中的應(yīng)用報(bào)告 2025-3-25
    國儀量子電鏡在半導(dǎo)體納米線直徑均勻性統(tǒng)計(jì)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹半導(dǎo)體納米線作為納米電子學(xué)和納米光子學(xué)領(lǐng)域的關(guān)鍵材料,因其獨(dú)特的量子尺寸效應(yīng)和優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)性能,在高性能晶體管、傳

  • 147 次 國儀量子電鏡在磁存儲器MTJ隧道結(jié)界面分析中的應(yīng)用報(bào)告 2025-3-25
    國儀量子電鏡在磁存儲器 MTJ 隧道結(jié)界面分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在信息存儲技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下,磁存儲器憑借其高存儲密度、低功耗和快速讀寫的優(yōu)勢,成為存儲領(lǐng)域的關(guān)鍵力量。磁性隧道結(jié)(M

  • 126 次 國儀量子電鏡在 GaN HEMT 器件柵極凹槽形貌分析的應(yīng)用報(bào)告 2025-3-25
    國儀量子電鏡在 GaN HEMT 器件柵極凹槽形貌分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在現(xiàn)代功率電子與微波射頻領(lǐng)域,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)器件憑借其高電子遷移率、高擊穿電場、低導(dǎo)通電阻等

  • 126 次 國儀量子電鏡在MEMS加速度計(jì)懸臂梁應(yīng)力觀測中的應(yīng)用報(bào)告 2025-3-25
    國儀量子電鏡在 MEMS 加速度計(jì)懸臂梁應(yīng)力觀測的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在現(xiàn)代傳感技術(shù)領(lǐng)域,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)加速度計(jì)憑借其體積小、重量輕、功耗低以及高靈敏度等優(yōu)勢,在汽車安全系統(tǒng)、智能手

  • 216 次 國儀量子電鏡在EUV光刻膠顯影后圖形側(cè)壁角度中的應(yīng)用報(bào)告 2025-3-24
    國儀量子電鏡在 EUV 光刻膠顯影后圖形側(cè)壁角度的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在芯片制造領(lǐng)域,極紫外光刻(EUV)技術(shù)是實(shí)現(xiàn)芯片特征尺寸不斷縮小、集成度持續(xù)提升的核心技術(shù)。隨著芯片制造工藝向 7nm 及

  • 209 次 國儀量子電鏡在ALD高k介質(zhì)薄膜覆蓋率評估中的應(yīng)用報(bào)告 2025-3-24
    國儀量子電鏡在 ALD 高 k 介質(zhì)薄膜覆蓋率評估的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域,隨著芯片制程不斷向更小尺寸推進(jìn),傳統(tǒng)的二氧化硅(SiO₂)柵介質(zhì)由于其相對較低的介電常數(shù)(k

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