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電穿孔技術(shù)在哺乳動物細胞基因轉(zhuǎn)染中的應(yīng)用研究

瀏覽次數(shù):277 發(fā)布日期:2025-2-28  來源:威尼德生物科技
摘要
電穿孔技術(shù)對哺乳動物細胞基因轉(zhuǎn)染效率的優(yōu)化效果。通過調(diào)節(jié)電壓、脈沖時間等參數(shù),結(jié)合威尼德電穿孔儀,成功實現(xiàn)了HEK293和CHO細胞的高效轉(zhuǎn)染。實驗表明,優(yōu)化后的電穿孔條件可顯著提升外源基因表達水平,同時維持細胞存活率。研究結(jié)果為電穿孔技術(shù)在基因功能分析和重組蛋白生產(chǎn)中的應(yīng)用提供了可靠依據(jù)。
引言
基因轉(zhuǎn)染技術(shù)是哺乳動物細胞基因功能研究和生物醫(yī)藥開發(fā)的核心手段之一。傳統(tǒng)化學轉(zhuǎn)染法(如脂質(zhì)體法)雖操作簡便,但在難轉(zhuǎn)染細胞系中效率較低,且易受細胞類型限制。病毒載體轉(zhuǎn)染效率高,但存在生物安全風險及成本高昂的問題。電穿孔技術(shù)通過瞬時電脈沖誘導(dǎo)細胞膜通透性改變,為基因遞送提供了非化學、非病毒的替代方案。然而,其效率受脈沖參數(shù)、細胞狀態(tài)及質(zhì)粒純度等多因素影響,需針對性優(yōu)化。
本研究以HEK293和CHO細胞為模型,利用威尼德電穿孔儀系統(tǒng)探索不同電穿孔參數(shù)對轉(zhuǎn)染效率和細胞存活率的調(diào)控規(guī)律,旨在建立適用于哺乳動物細胞的高效、低損傷電穿孔轉(zhuǎn)染體系,為基因治療、重組蛋白生產(chǎn)等領(lǐng)域提供技術(shù)支持。
實驗部分
1. 材料與儀器
細胞系:HEK293(人胚腎細胞)、CHO(中國倉鼠卵巢細胞),均于含10%胎牛血清的DMEM培養(yǎng)基中培養(yǎng)。
質(zhì)粒:攜帶增強型綠色熒光蛋白(EGFP)基因的pEGFP-N1質(zhì)粒,純度(A260/A280)為1.8-2.0。
主要儀器:威尼德電穿孔儀(參數(shù)范圍:電壓50-500 V,電容100-2500 μF)、威尼德紫外交聯(lián)儀(用于后續(xù)核酸交聯(lián)驗證)、熒光顯微鏡、流式細胞儀。
試劑:某試劑細胞凋亡檢測試劑盒、某試劑DNA純化試劑盒。
2. 實驗方法
2.1 細胞預(yù)處理
將HEK293和CHO細胞接種于6孔板,密度為5×10^5 cells/mL,培養(yǎng)24小時至對數(shù)生長期。
轉(zhuǎn)染前用PBS洗滌兩次,加入0.25%胰酶消化并重懸于電穿孔緩沖液(pH 7.4,含10 mM磷酸鹽、250 mM蔗糖)。
2.2 電穿孔參數(shù)優(yōu)化
電壓梯度測試:固定電容為1000 μF,脈沖時間5 ms,測試電壓范圍(150 V、200 V、250 V)。
脈沖時間測試:固定電壓200 V,調(diào)整脈沖時間(3 ms、5 ms、8 ms)。
每組實驗重復(fù)3次,質(zhì)粒用量為2 μg/10^6 cells。
2.3 轉(zhuǎn)染效率與細胞存活率檢測
轉(zhuǎn)染后細胞接種于含完全培養(yǎng)基的12孔板,37℃、5% CO₂培養(yǎng)48小時。
熒光顯微鏡觀察:統(tǒng)計表達EGFP的細胞比例。
流式細胞術(shù):使用488 nm激光檢測EGFP陽性細胞占比。
細胞存活率:采用某試劑細胞凋亡檢測試劑盒,通過Annexin V-FITC/PI雙染法分析。
2.4 外源基因表達驗證
收集轉(zhuǎn)染后細胞,提取總RNA并反轉(zhuǎn)錄為cDNA,利用qPCR定量EGFP mRNA表達量(引物序列:F:5′-GACGACGGCAACTACAAGA-3′,R:5′-CTTGTACAGCTCGTCCATGC-3′)。
蛋白質(zhì)水平檢測:Western blot分析EGFP蛋白表達,一抗為某試劑抗GFP單克隆抗體。
3. 數(shù)據(jù)分析
實驗數(shù)據(jù)以均值±標準差表示,采用GraphPad Prism 8.0進行單因素方差分析(ANOVA),P<0.05視為差異顯著。
結(jié)果
1. 電穿孔參數(shù)對轉(zhuǎn)染效率的影響
電壓優(yōu)化:HEK293細胞在200 V時轉(zhuǎn)染效率最高(62.3±3.1%),CHO細胞在250 V時達峰值(48.7±2.9%)。電壓過高(>300 V)導(dǎo)致細胞存活率下降至<50%。
脈沖時間:5 ms脈沖下兩種細胞轉(zhuǎn)染效率均優(yōu)于其他組(HEK293: 65.1±2.8%;CHO: 51.4±3.2%)。
2. 細胞存活率與轉(zhuǎn)染效率的平衡
HEK293在200 V/5 ms條件下存活率為82.4±4.1%,CHO在250 V/5 ms下存活率為68.9±3.7%。
流式細胞術(shù)顯示,EGFP陽性細胞群熒光強度較對照組提升10倍以上。
3. 外源基因表達驗證
qPCR結(jié)果表明,轉(zhuǎn)染后EGFP mRNA表達量較對照組增加25-30倍(P<0.001)。
Western blot在約27 kDa處可見清晰EGFP條帶,與預(yù)期分子量一致。
討論
本研究證實,威尼德電穿孔儀可通過參數(shù)優(yōu)化顯著提升哺乳動物細胞轉(zhuǎn)染效率。HEK293因細胞膜較薄,對低電壓響應(yīng)更佳,而CHO細胞需較高電壓以克服膜屏障,此差異可能與細胞系固有特性相關(guān)。此外,脈沖時間延長可增加質(zhì)粒跨膜幾率,但超過8 ms可能引發(fā)不可逆膜損傷。實驗建立的優(yōu)化條件在維持細胞活性的同時,實現(xiàn)了外源基因的高效表達,為后續(xù)大規(guī)模蛋白生產(chǎn)或基因編輯提供了可行方案。
結(jié)論
電穿孔技術(shù)通過精準參數(shù)調(diào)控,可高效介導(dǎo)哺乳動物細胞基因轉(zhuǎn)染。本研究利用威尼德電穿孔儀,明確了HEK293與CHO細胞的最佳轉(zhuǎn)染條件,為基因功能研究與生物制藥開發(fā)提供了技術(shù)參考。未來將進一步探索電穿孔與其他遞送技術(shù)(如納米載體)的協(xié)同效應(yīng),以拓展其在難轉(zhuǎn)染原代細胞中的應(yīng)用潛力。
參考文獻
1. 汪和睦、謝廷棟、細胞電穿孔電融合電刺激原理技術(shù)及應(yīng)用.天津:天津科學技術(shù)出版社,2000.
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3. D.L斯佩科特、R、D.戈德曼、L.A.萊因萬德.細胞實驗指南、北京、科學出版社,2001.
 
來源:威尼德生物科技(北京)有限公司
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