陰極發(fā)光設(shè)備（SEM-CL）在光電與薄膜電池材料的針孔檢測(cè)方面的應(yīng)用

Attolight CL技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于:

• 通過對(duì)單元過程進(jìn)行針孔檢測(cè)，縮短了開發(fā)時(shí)間;可以比較工藝變量和沉積方法對(duì)針孔形成的影響。

• 在針孔檢測(cè)過程中評(píng)估缺陷密度和成分梯度。

• 快速自動(dòng)繪圖:65秒內(nèi)完成25 μm × 25 μm面積的繪圖。

下面的SEM圖像和CL圖顯示了該技術(shù)在SnO₂化學(xué)鍍液沉積的CdS上的針孔的實(shí)際應(yīng)用。發(fā)射圖譜如下：

• CdS(掃描電鏡中的光區(qū)):綠色(帶隙)和紅色(中隙缺陷狀態(tài))。

• 針孔(SEM中的黑色區(qū)域):藍(lán)色(中間隙缺陷狀態(tài))來自孔底部的SnO₂。

圓對(duì)應(yīng)于單個(gè)CL點(diǎn)。圓直徑=電子相互作用體積(100 nm@5keV)。
 

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